杭州士兰微电子公司今年推出了内置MOSFET的SSR反激电源管理系列芯片SDH866XQ。该系列芯片满足六级能效标准，待机功耗低于40mW，并且采用了自有的高压EDMOS专利技术和谷底锁定专利，分别实现高压启动和降低EMI，可广泛适用于各类通用适配器（如机顶盒、显示器、平板电视等）。

　　SDH866XQ系列芯片合封了具有专利技术的功率EDMOS，并采用了具有专利技术的高压启动控制芯片，因此省略了传统芯片的启动电阻，使得芯片待机功耗低至40mW，具有快速启动，轻载高效等优点。由于芯片在启动过程中采用高压耗尽型MOSFET进行高压充电，启动后高压启动控制器控制该MOSFET关断，相比其他高压启动方式可靠性更高，更易通过雷击浪涌测试。

　　此外，该系列芯片还使用了士兰微电子自有的谷底锁定专利技术，当出现谷底跳变时，会根据负载选定在特定的谷底开通MOSFET，并通过逻辑控制使它保持锁定在这个谷底导通MOSFET，解决了传统QR模式中谷底跳变引起的异音问题。芯片还内置了准谐振（QR）模式，即系统工作于DCM时原边高压MOSFET在振荡波形谷底开通，可以降低MOSFET开通损耗和芯片温升，提高DCM的平均效率（0.5%左右），一致性和可靠性。

　　SDH866XQ系列芯片还使用多项技术，如：

• 抖频控制技术：在系统工作于CCM或QR模式时采用不同的抖频策略，优化抖频控制，有效的降低了系统EMI噪声。以12V/1.25A整机为例，QR模式下，采用优化抖频后的SDH8664Q比无抖频IC的传导噪声低5dB左右。

• 低压升频技术：减小了变压器体积，并改善了高低压OCP一致性

• VCC HOLD功能：可以防止轻载或动态切换时芯片欠压重启

• 完善的保护功能：包括VCC OVP, OCP, OTP, Brown-Out, 输入OVP，输出OVP，原边电流采样电阻短路保护，输出短路保护，副边整流管短路保护等

　　另外，SDH866XQ采用了外置原边电流采样电阻，以改善峰值输出功率的离散性，同时也便于调节系统的输出功率，可用同一颗IC实现系列机型设计。

　　该系列芯片SDH8663/4/5/6Q, 采用DIP8/TO252-5L封装，可以满足12W-36W功率范围，具体参数如下表示：

　　DEMO测试情况如下表所示：

　　SDH8664Q 12V/1.5A DEMO

　　小型充电设备今后的发展趋势是更低的低待机功耗和更高的能量转换效率，芯华超电子将持续在该领域不断推出新品。样品及方案资料索取请联系芯华超电子。